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Si4920DY
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
30
R DS(on) ( Ω )
0.025 at V GS = 10 V
0.035 at V GS = 4.5 V
SO-8
I D (A)
± 6.9
± 5.8
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFETs
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
D 1
D 2
S 1
G 1
1
2
8
7
D 1
D 1
S 2
G 2
3
4
6
5
D 2
D 2
G 1
G 2
Top View
Ordering Information: Si4920DY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
S 1
S 2
Si4920DY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current (10 μs Pulse Width)
Continuous Source Current (Diode Conduction) a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J , T stg
± 6.9
± 5.5
± 40
1.7
2
1.3
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
a
R thJA
62.5
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on FR4 board, t ≤ 10 s.
Document Number: 70667
S09-0767-Rev. E, 04-May-09
www.vishay.com
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